成果简介
综合介绍：
本发明提供一种高导电率的羟基/环氧基外修饰石墨烯透明导电薄膜的制备方法。首先，利用石墨插层化合物剥离方法制备三原子层高质量石墨烯材料，进一步采用特定的氧化剂和浓酸体系对三原子层高质量石墨烯的外面两层进行氧化修饰，得到可分散在常见溶剂中的羟基/环氧基外修饰三原子层石墨烯材料，运用线棒涂膜法与旋涂法等制备三原子厚度的薄膜后进行还原，得到高导电率透明导电薄膜。
创新要点：
本发明方法的外修饰三原子层石墨烯材料中间的片层未被氧化，仍然保持良好的导电性，外部两片层修饰上羟基/环氧基，克服了石墨烯难以处理并且容易堆积的问题。羟基/环氧基外修饰三原子层石墨烯材料赋予了石墨烯进一步的加工性能和可处理性，实现了石墨烯的性能较好的保持，可应用在光电器件和能源存储等领域。
成果成熟程度
¨研制阶段 þ试生产阶段 ¨小批量生产阶段
¨批量生产阶段 ¨其他
合作方式
þ技术转让 ¨技术开发 ¨技术咨询 ¨技术服务
þ技术入股 ¨人才培养 ¨共建载体 ¨其他
成果完成人 苗中正
完成时间2018年4月
联系方式
电话：15861974921 邮箱：mzz0415@126.com